[16a-A22-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[16a-A22-3] マルチフィンガー構造を有するダイヤモンド増幅器

〇(D)久樂 顕^1,2、小松崎 優治¹、山口 裕太郎¹、新庄 真太郎¹、荒井 雅一²、川原田 洋² (1.三菱電機、2.早稲田大学)

キーワード：

ダイヤモンド、電界効果トランジスタ、増幅器

マルチフィンガー構造のダイヤモンドFETにてダイヤモンド増幅器を試作したので報告する。ダイヤモンドFETはゲート長0.5 µmであり、W_gt = 10 × 50 µmとした。バイアス条件は、V_g = 22 Vで固定し、V_d = −30 V, −35 V, −40 Vとした。各V_dにおいて、小信号利得S21 > 7 dBが得られた。また、周波数1.8 GHzにおけるダイヤモンド増幅器の大信号特性を評価し、V_dの向上に伴う出力電力の増加する傾向を確認し。V_d = −40 VにてP_sat = 20.7 dBmが得られた。