[16a-A22-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[16a-A22-8] 半導体レーザのしきい値電流変動のメカニズム

〇上辻 哲也¹、奥 友希¹、丹羽 顕嗣¹、中村 直幹¹ (1.三菱電機株式会社)

キーワード：

半導体、しきい値電流、活性化エネルギー

半導体レーザのしきい値電流変動(⊿Ith)は活性層内の非発光再結合中心（NRC）の発生・消滅が原因とされている。そのため、高温通電時のNRCの活性層への拡散や内部損失に伴う温度上昇によるNRCの消滅が提案されているが、静電容量分光法で求めたp-InPのホールトラップのアニールの活性化エネルギーが1.32 eVと大きいこと、内部損失による温度上昇が10℃程度であることから、NRCの拡散・消滅で⊿Ithを説明できなかった。そこで今回、我々は⊿Ithと光出力の関係がNRCの拡散と仮定して活性化エネルギーを求め、⊿Ithのメカニズムを提唱する。