[16a-A25-1~10] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

10:00 〜 10:15

[16a-A25-5] GPUを用いた進化戦略計算によるInP-Siレイヤ間遷移光導波路設計

〇作本 宙彌¹、宮武 悠人¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：

シリコンフォトニクス、III-V フォトニクス

直接遷移型半導体であるIII-V半導体フォトニクス素子とSiフォトニクス素子を一体集積した集積フォトニクスプラットフォームが期待されている。しかし多レイヤ光回路ではレイヤ間のアライメント誤差を避けられない。そこで本研究では進化設計戦略の一種であるCMA-ESを用いてSi-InPレイヤ間の位置ずれに耐性のある接続構造を設計することで、アライメント誤差時の結合効率を4%改善したので報告する。