[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:15 〜 9:30

[16a-B1-2] ミニマルファブにおける連続作製デバイスのウェハ間ばらつきの解析

〇本郷 仁啓¹、原 史朗^1,2,3 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.Hundred Semiconductors)

キーワード：

ミニマルファブ、歩留

1ウェハ1ロットのミニマルファブを使ってトランジスタを製造するとき，1枚のウェハでデバイスを完成させる工程の繰り返しと，複数のウェハを同時に処理して複数のデバイスを一度に製造する場合のばらつきの解析・比較について報告する。