[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:30 〜 9:45

[16a-B1-3] ミニマルファブSOI-CMOSにおけるNMOS特性の制御

〇浜本 毅司¹、山崎 昭浩²、原 史朗^1,2,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.(株)Hundred Semiconductors)

キーワード：

SOI

ミニマルファブは多品種少量生産をターゲットとした生産システムである。このミニマルファブでのデバイス適応実績としては、カンチレバーに代表されるMEMSデバイス、CMOSおよびそれを用いたRing Oscillatorとオペアンプなどが試作されてきた。1,000 Gateレベルの集積回路の動作検証は既に終了し、試作ファブの段階となっている。今後は、PDK(Process Design Kit)を構築し、広範なユーザー設計に基づいた回路動作に対応すべく、MOSFETの動作精度向上、プロセスロバスト性確保に注力している。今回、NMOS特性(閾値および駆動電流)を制御する方法として、チャネル領域に固層拡散によるボロンをドープ、その後行う酸化の膜厚を変化させる手法を構築した。