[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

10:15 〜 10:30

[16a-B1-6] ミニマル装置を用いた水素アニールによる柱状構造の表面処理

〇濱田 健吾^1,2、Huang Ying⁴、佐藤 徳子⁴、千葉 貴史^1,2、寺田 昌男^1,2、佐藤 和重^1,2、金森 義明⁴、原 史朗^2,3 (1.坂口電熱株式会社、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研、4.東北大学)

キーワード：

ミニマルファブ、レーザ加熱

レーザ加熱による水素アニール装置の開発を進めている。これまで平面的な構造に対して表面平滑化を行うことができた。今回、立体的な構造に対してレーザ加熱による水素アニールを実施したので結果を報告する。