[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

10:45 〜 11:00

[16a-B1-7] テーパー形状のTSVホールにおける水素アニール効果の研究Ⅱ

〇田中 宏幸¹、徳永 博司²、野沢 善幸³、速水 利泰³、佐藤 和重^4,6、田上 佳代⁵、原 史朗^1,6 (1.産総研、2.MTC、3.SPPテクノロジーズ、4.坂口電熱、5.熊本防錆、6.ミニマルファブ)

キーワード：

ボッシュ、水素アニール、TSV

深掘りボッシュプロセス工程で発現するスキャロプや縦縞の凹凸に起因する層間絶縁膜の脆弱な部分は、水素アニール処理による平坦化を行うことで深掘りエッチング側壁を平坦化するのに有効であることを報告した。しかしながら、その効果の検証、すなわち水素アニールホール形成後の電極埋め込みプロセスへの効果については、検証が必要であった。本稿では、水素アニールの次工程以降へ影響について解析結果を報告する。