[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

11:00 〜 11:15

[16a-B1-8] ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の半導体CMOS デバイスへの応用検討

〇佐藤 和重^1,2、千葉 貴史^1,2、寺田 昌男^1,2、濱田 健吾^1,2、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.産総研)

キーワード：

ミニマルファブ、レーザ加熱

SOI-CMOSプロセスに使用している洗浄装置、ドライエッチング装置等、全てのプロセスでミニマル装置を使用しSiアイランドを形成した評価サンプルを作製し、水素アニール表面処理を施して、これによって起こるSiの自己拡散による形状変化を評価した。