[16a-C31-1~10] 6.4 薄膜新材料

9:00 〜 9:15

[16a-C31-1] ユニバーサルな機械学習ポテンシャルを用いて作成されたシリコン系低誘電率絶縁膜の評価

〇野武 晃¹、筒井 拓郎¹、守屋 剛¹、大井川 仁美¹、馮 磊¹、倪 澤遠²、加藤 大輝²、小川 智久²、松隈 正明²、樋口 恒²、久保 敦史²、大越 顕²、松山 洋平²、村上 博紀²、戸根川 大和² (1.東京エレクトロン（株）、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）)

キーワード：

絶縁膜、機械学習ポテンシャル、第一原理計算

半導体のプロセスルールの微細化に伴い、従来のシリコン酸化膜より電気特性や機械的強度の優れた絶縁膜が求められている。近年はコンピュータの性能の向上と機械学習の普及に伴い、材料探索に計算シミュレーションやデータ科学を用いるマテリアルズインフォマティクスが一般化してきた。我々はユニバーサルな機械学習ポテンシャル(MLP)であるPFPと第一原理計算を用いて、目標とすべきシリコン系低誘電率絶縁膜を探索することにした。