[16a-C31-1~10] 6.4 薄膜新材料

11:15 〜 11:30

[16a-C31-10] 高基板温度におけるスパッタ膜形成時の内部応力in-situ観測

〇中川 茂樹¹、横澤 諒¹、飯田 大介¹、佐々木 康宣¹、高村 陽太¹、中光 豊²、神保 武人² (1.東工大工、2.ULVAC)

キーワード：

内部応力、膜形成、in-situ観測

スパッタ膜形成時の膜内部応力を高感度でin-situ観測することで、膜形成初期の構造変化に基づく情報を得ることができる。異なる基板温度におけるW薄膜の内部応力変化を観測したところ、島状構造から連続膜形成への遷移点に相当する膜厚は基板温度で大きな違いはなく４nm程度であったが、膜堆積初期に発生する引張応力や，連続膜の圧縮応力の増加割合は基板温度で大きく異なるなど，成長機構を反映した現象が観測された。