[16p-A21-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[16p-A21-11] AlN障壁多重量子井戸からの電子線励起による230 nm帯発光

〇岩瀬 怜也¹、赤池 良太^1,2、安永 弘樹^2,3、中村 孝夫^1,2,3、長尾 昌善⁴、村上 勝久⁴、三宅 秀人^1,2 (1.三重大院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構、4.産総研デバイス技術研究部門)

キーワード：

半導体、有機金属気相成長法、電子線励起

人体に無害で殺菌効果が得られる230nm帯発光光源の実現に向けて、電子線励起に適したエピタキシャル構造について検討した。当グループで作製したFFA Sp-AlN上に、MOVPE装置でn-AlN下地層を再成長させた。さらに、AlGaN/AlGaN 多重量子井戸とAlGaN/AlN 多重量子井戸を作製しCL測定をしたところ、AlGaN/AlN多重量子井戸からの発光強度の向上が確認された。当日はAlのメタルバックを堆積させ、グラフェンからなる平面型電子源を用いて光出力を測定した結果についても議論する。