セッション詳細

[16p-A22-1~22]CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

2024年9月16日(月) 13:00 〜 19:00
A22 (朱鷺メッセ2F)
佐藤 威友(北大)、 谷川 智之(阪大)、 小谷 淳二(住友電工)

[16p-A22-1]コンタクトレスPECエッチングを用いたGaNナノワイヤ作製におけるUVA光の効果

〇古内 久大1,2、本久 順一1,2、佐藤 威友2 (1.北大院情、2.北大量集セ)
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[16p-A22-2]N 極性GaNに及ぼすドライエッチングの台座の影響

〇三島 秀治郎1、中村 大輝1、新海 聡子1 (1.九工大院)
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[16p-A22-3]N極性AlN上のGaNのコヒーレント成長に向けたMOVPE成長の条件改善

〇(M2)古橋 樹1、プリストフセク マーコス2、楊 旭2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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[16p-A22-4]N極性GaN/AlGaN/AlN高電子移動度トランジスタのリーク電流が絶縁破壊電圧に及ぼす影響

〇(M2)Zazuli Hiyama Aina1、藤井 開1、仁ノ木 亮祐1、平田 靖晃1、木本 大星1、倉井 聡1、岡田 成仁1、田中 敦之2、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2、山田 陽一1 (1.山口大創成科学、2.名古屋大未来研)
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[16p-A22-5]ウェハ接合と裏面プロセスを用いたn-GaN N極性面上オーミック電極形成

〇(M1)藤家 智希1、梁 剣波1、末光 哲也2、重川 直輝1 (1.大阪公大工、2.東北大)
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[16p-A22-6]高出力密度を有するN極性GaN/InAlN HEMTの開発

〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、向井 章1、眞壁 勇夫1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
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[16p-A22-7]N/Mg イオン注入法を用いた縦型GaN ジャンクションバリアショットキーダイオードの作製及び電気特性評価

〇權 熊1、伊藤 佑太1、田中 敦之2、渡邉 浩崇2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
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[16p-A22-8][第56回講演奨励賞受賞記念講演] Mgイオン注入p-GaNにおける注入領域および拡散領域のNイオン連続注入による補償ドナー濃度低減効果

〇角田 健輔1、片岡 恵太2、成田 哲生2、堀田 昌宏1,3、加地 徹1,3、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.豊田中研、3.名大未来研)
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[16p-A22-9][第56回講演奨励賞受賞記念講演] Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードにおける電流-電圧特性の注入量依存性

〇北川 和輝1、Maciej Matys2、上杉 勉2、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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[16p-A22-10]OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案

〇宇佐美 茂佳1、伊藤 佑太2、香川 美幸1、横井 創吾1、田中 敦之3、滝野 淳一4、隅 智亮4、今西 正幸1、伊藤 瞭太5、秦 雅彦6、吉村 政志7、岡山 芳央4、本田 善央3、天野 浩3、森 勇介1 (1.阪大院工、2.名大院工、3.名大未来研、4.パナソニックホールディングス(株)、5.住友化学(株)、6.伊藤忠プラスチックス(株)、7.阪大レーザー研)
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[16p-A22-11]p型GaN表面に発生する電荷についての検討

〇焦 一寧1、高橋 尚伸1、島崎 喬大1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
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[16p-A22-12][第56回講演奨励賞受賞記念講演] 分布型分極ドーピングによる AlN 系縦型p-nダイオードの作製

〇隈部 岳瑠1、吉川 陽2,3、川崎 晟也1、久志本 真希1、本田 善央3,4,5、新井 学3、須田 淳1,3、天野 浩3,4,5 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMaSS、4.名大Dセンター、5.名大IAR)
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[16p-A22-13]SiドープAlNショットキーバリアダイオードにおける順方向リーク電流の解析

〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、熊倉 ⼀英2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、中野 義昭1、前⽥ 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性研)
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[16p-A22-14]AlN MESFETの高温特性評価

〇廣木 正伸1、平間 一行1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
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[16p-A22-15]Al-rich AlGaNマルチチャネルFin構造の作製と評価

〇小坂 鷹生1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
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[16p-A22-16]MOVPE 法で成膜したAlN 基板上の格子整合AlN/GaN HEMT の動作実証

〇李 太起1、吉川 陽1,3、隈部 岳瑠2、杉山 聖1、新井 学3、須田 淳2,3、天野 浩2,3 (1.旭化成、2.名大院工、3.名大IMaSS)
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[16p-A22-17]高AlNモル分率AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの電気的特性

〇安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊本大)
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[16p-A22-18]GaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造の縦型PND構造におけるアバランシェ降伏の確認

〇小久保 瑛斗1、渡邉 浩崇2、出来 真斗3、田中 敦之2、新田 州吾2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大高等研究院)
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[16p-A22-19]AlGaN/GaNヘテロ界面でのキャリア輸送特性と欠陥分布

〇角谷 正友1、今中 康貴1、中野 由崇2、竹端 寛治1 (1.物材機構、2.中部大)
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[16p-A22-20]AlGaN/GaN二次元電子ガスにおけるドリフト速度-電界特性の温度依存性

〇若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)
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[16p-A22-21]ScAlN混晶の分極反転におけるSc組成および格子拘束の影響に関する理論検討

〇秋山 亨1、宮本 拓翔1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)
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[16p-A22-22]エピタキシャルScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の作製

〇奥田 朋也1、太田 隼輔2、河原 孝彦3、牧山 剛三3、中田 健3、前田 拓也4、小林 篤1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工、3.住友電工、4.東大院工)
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