[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

16:00 〜 16:15

[16p-A22-12] [第56回講演奨励賞受賞記念講演] 分布型分極ドーピングによる AlN 系縦型p-nダイオードの作製

〇隈部 岳瑠¹、吉川 陽^2,3、川崎 晟也¹、久志本 真希¹、本田 善央^3,4,5、新井 学³、須田 淳^1,3、天野 浩^3,4,5 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMaSS、4.名大Dセンター、5.名大IAR)

キーワード：

窒化アルミニウム、分極ドーピング、パワー半導体デバイス

AlNおよび高Al組成AlGaNは次世代電子デバイス材料として注目されている。p-n接合は半導体デバイスの必須構成要素であるが、AlN系材料では不純物ドーピングによる伝導性制御が困難であるため、良好な電気特性を示すp-nダイオードは実現されていなかった。本研究では、窒化物半導体の分極効果を活用してp-n接合部分の固定電荷/内蔵電位を制御し、極めて良好な電気特性を示すAlN系p-nダイオードを実現したので報告する。