[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-A22-13] SiドープAlNショットキーバリアダイオードにおける順方向リーク電流の解析

〇佐々木 一晴¹、廣⽊ 正伸²、熊倉 ⼀英²、平間 ⼀⾏²、⾕保 芳孝²、中野 義昭¹、前⽥ 拓也¹ (1.東大工、2.NTT物性研)

キーワード：

窒化アルミニウム、ショットキーバリアダイオード、障壁高さ

AlNは、高温・高電圧下で動作可能なパワーデバイス材料として注目を集めています。本研究では、AlN SBDにおける電流輸送機構を詳細に調べ、障壁高さとそのばらつきの解明に成功しました。また、この障壁高さのばらつきを生む欠陥の密度が、転位密度よりも遥かに小さくなることを突き止め、SiやGaNなどの他材料ではリーク電流の主要因が転位となるのに対し、AlNでは他の要因が関係している可能性を示唆しました。