[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

16:30 〜 16:45

[16p-A22-14] AlN MESFETの高温特性評価

〇廣木 正伸¹、平間 一行¹、熊倉 一英¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

AlN、MESFET

ステージ温度室温から1000°Cの範囲でのAlN MESFETの特性評価を行った。1000°Cにおいてもデバイス動作し、最大ドレイン電流30 mA/mm, オンオフ比10²であった。高温においてゲートリーク電流はオフ状態リーク電流は1/10程度であることから、オフ状態リーク電流はAlNバッファ層中のリークが支配的であると考えられる。
次に耐熱性を調べた。1000°Cへの加熱によりデバイス特性は非可逆的に変化した。加熱後の室温でのゲートリーク電流は加熱前より上昇した。このことはゲート電極のショットキー特性が劣化したことを示している。