[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

17:30 〜 17:45

[16p-A22-17] 高AlNモル分率AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの電気的特性

〇安藤 裕二^1,2、高橋 英匡¹、牧迫 隆太郎¹、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊本大)

キーワード：

AlGaN/GaN、HEMT、デュアルゲート

われわれはGaN HEMTのサブテラヘルツ応用を可能し得る新規技術としてデュアルゲート構造を開発している。本論文では、AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの利得特性をさらに向上するため、AlGaNバリア層のAlN混晶比の増加を検討する。