[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[16p-A22-4] N極性GaN/AlGaN/AlN高電子移動度トランジスタのリーク電流が絶縁破壊電圧に及ぼす影響

〇(M2)Zazuli Hiyama Aina¹、藤井 開¹、仁ノ木 亮祐¹、平田 靖晃¹、木本 大星¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、田中 敦之²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩²、山田 陽一¹ (1.山口大創成科学、2.名古屋大未来研)

キーワード：

N極性GaN