[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[16p-A22-5] ウェハ接合と裏面プロセスを用いたn-GaN N極性面上オーミック電極形成

〇(M1)藤家 智希¹、梁 剣波¹、末光 哲也²、重川 直輝¹ (1.大阪公大工、2.東北大)

キーワード：

窒化ガリウム、表面活性化接合、N極性面

N極性方向の結晶成長を行わずにN極性面上デバイスを作製できるかの可能性を検証することを目的として、ウェハ接合・裏面プロセスにより形成したn-GaN層のN極性面上にオーミック電極を形成し、その後特性の評価を行った。N極性面上でオーミックライクな特性を得られたが、Ga極性面に比べて高抵抗な特性が得られたことから、ウェハ接合及び裏面プロセスによるN極性面上でのデバイス作製には、プロセス条件の検討が必要と思われる。