[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[16p-A22-7] N/Mg イオン注入法を用いた縦型GaN ジャンクションバリアショットキーダイオードの作製及び電気特性評価

〇權 熊¹、伊藤 佑太¹、田中 敦之²、渡邉 浩崇²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

縦型GaNパワーデバイス、ジャンクションバリアショットキー、選択的ドーピング技術

本研究では、N/Mgイオン注入を用いて縦型GaNジャンクションバリアショットキーダイオード（JBSD）を作製した。I-V測定結果、JBSDのショットキー領域の幅を狭くすることによって障壁高さの増加と逆方向リーク電流の減少が確認された。I_on(1.2 V)/I_off(-650 V)は10⁹であり、広い電圧範囲での高いon/off比が達成された。オン抵抗は1.2－1.4 mΩcm²であった。