[16p-A22-1~22] CS.13 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェア

15:15 〜 15:30

[16p-A22-9] [第56回講演奨励賞受賞記念講演] Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードにおける電流-電圧特性の注入量依存性

〇北川 和輝¹、Maciej Matys²、上杉 勉²、堀田 昌宏^1,2、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

GaN縦型パワーデバイス、Mgチャネリングイオン注入、JBSダイオード