[16p-A23-1~6] Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

13:30 〜 14:00

[16p-A23-1] マルテンサイト・エピタキシー

〇木島 健^1,2、關 雅志¹、木村 勲¹、田畑 仁²、中尾 健人¹ (1.(株)Gaianixx、2.東大工)

キーワード：

多能性中間膜、マルテンサイト・エピタキシー、単結晶機能膜

Si単結晶基板上に各種機能膜（圧電体、合金、化合物半導体、等）をヘテロエピタキシャル成長させる際に、両者の間にHfZrO₂多能性中間膜をバッファとして挟み込む。するとシリコン基板と機能膜との間に存在する格子ミスマッチを原因として発生した剪断応力を打ち消す方向にHfZrO₂多能性中間膜が滑り双晶型マルテンサイト変態する。それと同時にSi基板の良好な単結晶性を引き継いだ優れた単結晶機能膜が得られた。