セッション詳細

[16p-A23-1~6]Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

2024年9月16日(月) 13:30 〜 16:45
A23 (朱鷺メッセ2F)
關 雅志(Gaianixx)

[16p-A23-1]マルテンサイト・エピタキシー

〇木島 健1,2、關 雅志1、木村 勲1、田畑 仁2、中尾 健人1 (1.(株)Gaianixx、2.東大工)
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[16p-A23-2]スパッタリング単独プロセスによるSi上強誘電体エピタキシャルキャパシタの形成

〇吉村 武1 (1.大阪公立大院工)
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[16p-A23-3]スパッタ法によるSi基板上エピタキシャルPZT圧電薄膜の作製

〇神野 伊策1、グォン サンヒョ1、譚 ゴオン2 (1.神戸大工、2.大阪公立大)
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[16p-A23-4]ゾルゲル法によるSi基板上のエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜の作製と評価

〇譚 賡1、權 相曉2、神野 伊策2 (1.大阪公立大、2.神戸大学)
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[16p-A23-5]巨大圧電性を有するPMN-PT系単結晶薄膜のSi基板上へのエピタキシャル成長

〇吉田 慎哉1 (1.芝浦工大工)
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[16p-A23-6]ScAlNおよびLiNbO3エピタキシャル圧電薄膜のBAWフィルタ応用の現状

〇柳谷 隆彦1,2,3,4 (1.早稲田大学、2.材料技術研究所、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)
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