[16p-A23-1~6] Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

14:30 〜 15:00

[16p-A23-3] スパッタ法によるSi基板上エピタキシャルPZT圧電薄膜の作製

〇神野 伊策¹、グォン サンヒョ¹、譚 ゴオン² (1.神戸大工、2.大阪公立大)

キーワード：

PZT、圧電、薄膜

我々は、これまでスパッタ法でエピタキシャルPZT薄膜を作製し、その圧電性の特徴を報告してきた。特に、その特徴的な結晶構造はバルクPZTや多結晶PZT薄膜と大きく異なっており、誘電特性、強誘電特性および圧電特性を利用した新しい応用への展開が期待されている。特に、膜厚方向に周期的に組成変調した超格子薄膜は、強い面内層間応力のためバルク材料と大きく異なる結晶構造を有していることが明らかとなり、新しい圧電薄膜デバイスの創出につながると期待される。