[16p-A23-1~6] Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

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[16p-A23-4] ゾルゲル法によるSi基板上のエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の作製と評価

〇譚 賡¹、權 相曉²、神野 伊策² (1.大阪公立大、2.神戸大学)

キーワード：

圧電薄膜、ゾルゲル法

PZT（チタン酸ジルコン酸鉛）に代表される圧電薄膜材料は、圧電デバイスとして様々な産業のセグメントで応用されている。汎用性、コスト、微細加工および圧電性能の両方を考慮するとSi基板上で分極軸方向に配向した薄膜を成長させることが理想である。本発表では、簡易な成膜装置に加えて大気圧下で成膜が可能なゾルゲル法を用いて、Si基板上へのPZT圧電薄膜のエピタキシャル成長、およびその結晶構造、圧電特性の評価について報告する。