[16p-A23-1~6] Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

15:45 〜 16:15

[16p-A23-5] 巨大圧電性を有するPMN-PT系単結晶薄膜のSi基板上へのエピタキシャル成長

〇吉田 慎哉¹ (1.芝浦工大工)

キーワード：

圧電MEMSアクチュエータ、PMN-PT、エピタキシャル成長

圧電MEMSの性能限界を打破すべく、巨大な圧電特性を持つ薄膜の探索を行っている。今回、SmドープPb(Mg_1/3,Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(Sm-PMN-PT)単結晶薄膜をその候補として、バッファ層成膜済のSi基板上にスパッタ堆積した。その結果、(100)/(001)に優先配向し、かつ純粋なペロブスカイト相から成る薄膜を得られた。そして、Smの比率を全体の2.5mol%に固定しながら、PMNとPTの最適な組成比を検討した。その結果、圧電定数|e_31,f|は、PMN:PTが50:50のとき、約25C/m²に達した。