[16p-A23-1~6] Si基板へのエピタキシャル成⻑単結晶薄膜とデバイス応用

16:15 〜 16:45

[16p-A23-6] ScAlNおよびLiNbO₃エピタキシャル圧電薄膜のBAWフィルタ応用の現状

〇柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早稲田大学、2.材料技術研究所、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：

BAWフィルタ、圧電薄膜、エピタキシャル薄膜

本研究では、エピタキシャル圧電薄膜のBAWフィルタ応用における最新動向について紹介するとともに、スパッタ法を用いたオフ角基板上へのc軸傾斜LiNbO₃、PbTiO₃、MgZnOエピタキシャル成長と音響共振子の特性について議論する。