[16p-A41-1~9] 【一般公開】最先端ロジック半導体と連携・協働する材料・プロセス・実装技術の最前線 ～再起する日本の先端ロジック半導体・その２～

15:55 〜 16:25

[16p-A41-6] 先端ロジックデバイスにおけるプラズマエッチング技術

〇伊澤 勝¹ (1.日立ハイテク)

キーワード：

半導体、プラズマプロセス、エッチング

先端半導体ロジックではfinFETやDTCO(Design technology Co-Optimizatio)が採用されてきた。近年はGAA FETの製品化が進められ、CFETの開発が進められている。これらの新たな構造では、従来の垂直加工に加え複雑な構造への対応や高精度な横方向の加工が求められる。本報告ではSi/SiGeのスタック構造の加工、WFM(Work Function Metal)工程におけるnmレベルの狭space加工、狭spaceでの均一な横方向加工など、エッチングの課題とそれに対応する技術について説明する。