[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

13:00 〜 13:15

[16p-B1-1] CWレーザー結晶化（CLC）による（100）Grain-Boundary Free Si薄膜内の周期的な線状Dimple構造

〇佐々木 伸夫^1,2、高山 智之²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：

cwレーザー結晶化、dimple lines、AFM

CLCによるGrain-Boundary Free Si 薄膜内に、振幅3～5 nm, 周期3.43 μmの超微細な周期的なDimple line構造を見出した。このDimpleは、超微細なsubboundaryで、間隔11 nm以上の転位列からなる。