2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[16p-B1-1~14]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2024年9月16日(月) 13:00 〜 17:00
B1 (展示ホールB)
葉 文昌(島根大)、 岡田 竜弥(琉球大)、 岡田 直也(産総研)
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13:00 〜 13:15

[16p-B1-1]CWレーザー結晶化（CLC）による（100）Grain-Boundary Free Si薄膜内の周期的な線状Dimple構造

〇佐々木 伸夫1,2、高山 智之2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
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13:15 〜 13:30

[16p-B1-2]ゲートラストプロセスによるガラス基板上のダブルゲート poly-Ge TFTの開発

〇(M2)五嶋 大喜1、栗原 義人1、鈴木 翔1、原 明人1 (1.東北学院大院)
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13:30 〜 13:45

[16p-B1-3]ガラス基板上の4端子縦型poly-Si薄膜トランジスタのpHセンサ応用

〇鈴木 康聖1、田部井 哲夫2、原 明人1 (1.東北学院大院、2.広島大RISE)
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13:45 〜 14:00

[16p-B1-4]青色ダイレクトダイオードレーザを用いたCVD製膜a-Si膜の結晶化

〇岡田 竜弥1、野口 隆1、菱田 光起2、宮野 謙太郎2、小畑 直彦2、信岡 政樹2 (1.琉大工、2.パナソニックコネクト)
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14:00 〜 14:15奨励賞エントリー英語発表

[16p-B1-5]Performance Improvement of n-channel TFT on Solid-Phase Crystallized poly-Ge by Channel Width Shrinking

〇linyu huang1, atsuki morimoto1, kota igura2, takamitsu ishiyama2, kaoru toko2, dong wang1, keisuke yamamoto1 (1.Kyushu Univ., 2.Univ. of Tsukuba)
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14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[16p-B1-6]ガラス基板上多結晶Ge薄膜へのCMOSインバータの形成

〇森本 敦己1、黄 林昱1、居倉 功汰2、石山 隆光2、都甲 薫2、王 冬1、山本 圭介1 (1.九大院　総理工、2.筑波大院　数理物質)
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14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[16p-B1-7]全スパッタ成膜により作製したμCLS (001) Si単結晶MOSFET

〇(M1)野須 涼太1、葉 文昌1 (1.島根大)
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15:00 〜 15:15

[16p-B1-8]300 mm GAAFETパイロットライン構築に向けたSiGe/Si超格子の分光エリプソメトリ評価

〇熊谷 直人1、福島 章雄1、陳 家聰1、上嶋 和也1、入沢 寿史1、林 善宏1 (1.産総研)
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15:15 〜 15:30

[16p-B1-9]Gate-all-around CMOS用TiN/TiAlC Gate電極の実効仕事関数の制御メカニズム

〇間部 謙三1、上嶋 和也1、太田 裕之1、森田 行則1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研　SFRC)
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15:30 〜 15:45

[16p-B1-10]エピタキシャル成長した Si0.7Ge0.3 および Si 薄膜におけるH2 希釈 CF4 ガスによるドライエッチングの選択性評価

〇(M1)尾崎 孝太朗1、高田 昇治2、堤 隆嘉2、石川 健治2、Yamamoto Yuji3、Wen Wei-Chen3、牧原 克典1 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP)
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16:00 〜 16:15

[16p-B1-11]Ni超薄膜へのSiH4照射によるNiシリサイド形成と結晶相制御

〇谷田 駿1、田岡 紀之2、牧原 克典1 (1.名大院工、2.愛知工大)
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16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-B1-12]低温PL分光法によるSiトレンチ加工で生成する格子間Siの拡散評価

〇藤森 涼太1、伊藤 佑太1、横川 凌1,2、小椋 厚志1,2、川勝 一斗3、久保井 信行3、嵯峨 幸一郎3、岩元 勇人3 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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16:30 〜 16:45

[16p-B1-13]凍結洗浄における基板面内温度均一化の効果

〇中村 聡1、出村 健介1、山華 雅司1、服部 圭2 (1.芝メカ(株)、2.名大低温プラズマ研)
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16:45 〜 17:00

[16p-B1-14]半導体製造装置におけるクラスター分析を用いた異常検知の評価

〇志賀 優規1、平井 都志也1,2、加納 学2 (1.KOKUSAI ELECTRIC、2.京都大学)
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