[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[16p-B1-6] ガラス基板上多結晶Ge薄膜へのCMOSインバータの形成

〇森本 敦己¹、黄 林昱¹、居倉 功汰²、石山 隆光²、都甲 薫²、王 冬¹、山本 圭介¹ (1.九大院　総理工、2.筑波大院　数理物質)

キーワード：

多結晶Ge、薄膜トランジスタ、CMOS

我々はガラス基板上に固相成長法によって形成した高品質な多結晶Ge薄膜を用いて、蓄積型pチャネルTFTと反転型nチャネルTFTを組み合わせたCMOSを500 °C以下の低温プロセスによって構築した。その動作特性を直流および交流(矩形波)信号にて確認したところ、出力電圧は入力電圧に対して反転した値が得られ、また交流においては、遅延が生じることなく信号が反転した結果が得られており、インバータ動作実証を実現した。