[16p-B1-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[16p-B1-7] 全スパッタ成膜により作製したμCLS (001) Si単結晶MOSFET

〇(M1)野須 涼太¹、葉 文昌¹ (1.島根大)

キーワード：

トランジスタ、単結晶、シリコン

我々はこれまでマイクロシェブロンレーザー走査(μCLS)法を提案し、SiO₂上に無粒界の単結晶Si帯の成長を実現し、単結晶Si相当の移動度を持つMOSFETが作製可能なことを示した。
しかし、結晶方位がランダムなことによって特性にばらつきが生じた。
本研究では、スパッタSi膜のμCLS法による(001)単結晶Si帯のMOSFETを実現し、特性とばらつきの評価を行った。