[16p-B2-1~15] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[16p-B2-4] AlAs/GaAs超格子中の電流−電圧特性と散乱時間の温度依存特性

〇前田 凪¹、朱 翔宇¹、べスコン マーク²、長井 奈緒美¹、黒山 和幸¹、平川 一彦¹ (1.東大生研・ナノ量子機構、2.マルセイユ大IN2MP)

キーワード：

超格子、ブロッホ振動

THz帯域へのアプローチの一つとして、EsakiとTsuにより半導体超格子中の電子のブロッホ振動を利用した発振器が提案されて５０年以上経過したが、ブロッホ利得が発生する負性微分コンダクタンス領域での高電界ドメインにより,ブロッホ発振器は未だに実現されていない。本講演では、ドープしたAlAs/GaAs超格子の電流−電圧（I-V）特性を解析して得られた電子散乱時間より、電気伝導特性を検討する。