[16p-C302-1~18] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

16:00 〜 16:15

[16p-C302-10] Al箔直接接合によるシリコン酸化膜上厚膜配線の電気特性

〇(M2)室谷 咲貴¹、上原 さくら²、仕幸 英治¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪公大工、2.大阪市大工)

キーワード：

表面活性化接合、厚膜配線、コプレナ線路

直接接合技術と配線プロセスとの融合、低損失配線の実現を目指し、表面活性化接合法を用いてSi基板上の酸化膜（2ミクロン厚）と厚さ17ミクロンの金属箔を接合し、酸化膜上に厚膜配線を作製した。その電気特性を評価することにより、表面活性化処理後の酸化膜の絶縁性が維持されていることが分かった。また、Si基板上に作製されたコプレナ線路と比較して、酸化膜上のコプレナ線路が低損失であることが分かった。