セッション詳細

[16p-C302-1~18]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2024年9月16日(月) 13:00 〜 18:15
C302 (ホテル日航新潟 30F)
小林 正治(東大)、 若林 整(東工大)、 小田 俊理(東工大)

[16p-C302-1][Fellow International 2024 Special Lecture] 2D Materials - Powering the Next Era of Energy-Efficient Electronics

〇Kaustav Banerjee1 (1.University of California)
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[16p-C302-2]Bi2Te3/Ge 擬似vdW接合によるn-Geへのオーミックコンタクト形成

〇張 文馨1、畑山 祥吾1、岡田 直也1、入沢 寿史1、齊藤 雄太1,2 (1.産総研、2.東北大)
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[16p-C302-3]ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション

〇加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
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[16p-C302-4][分科内招待講演] 原子層堆積法で成膜した非晶質/多結晶In-Ga-O酸化物トランジスタにおける信頼性劣化起源に関する考察

〇髙橋 崇典1、上沼 睦典2、小林 正治3,4、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.産総研、3.東大生研、4.東大d.lab)
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[16p-C302-5]A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InZnOx Channel

〇(D)Sunghun Kim1, Kaito Hikake1, Zhuo Li1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1,2 (1.IIS, The Univ. of Tokyo, 2.d.lab, The Univ. of Tokyo)
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[16p-C302-6]ALD InGaZnOx をチャネル材料とするナノシート酸化物半導体トランジスタ

〇(M2)坂井 洸太1、日掛 凱斗1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、小林 正治1,2 (1.東大生産研、2.東大 d.lab)
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[16p-C302-7]Study on High-Field Transport and Statistical Variability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs for Device Scaling in Monolithic 3D Integration

Kaito Hikake1, 〇Xingyu Huang1, Sung-hun Kim1, Kota Sakai1, Zhuo Li1, Tomoko Mizutani1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Takanori Takahashi2, Mutsunori Uenuma2, Yukiharu Uraoka2, Masaharu Kobayashi1,3 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NAIST, 3.d.lab, Univ. of Tokyo)
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[16p-C302-8]DFT計算による電子輸送特性データベースを用いた配線材料としての新たな金属間化合物の探索

〇岩渕 将也1、小池 淳一1 (1.東北大)
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[16p-C302-9]ヨウ化銅(I)を原料とする CVD 法による Ta 上への Cu 堆積

〇宮本 裕1、山内 智1 (1.茨城大工)
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[16p-C302-10]Al箔直接接合によるシリコン酸化膜上厚膜配線の電気特性

〇(M2)室谷 咲貴1、上原 さくら2、仕幸 英治1、梁 剣波1、重川 直輝1 (1.大阪公大工、2.大阪市大工)
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[16p-C302-11]サブTHz超音波を用いたエレクトロマイグレーションの早期非破壊検出

〇長久保 白1、出馬 秀平1、西村 淳2、壁 義郎2、荻 博次1 (1.阪大工、2.スカイワークスフィルターソリューションズ)
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[16p-C302-12]リセット電流低減とサイクル耐性向上に向けたPCM/セレクタ積層メモリの熱構造最適化

〇松澤 雄矢1、上遠野 一広1、塚越 隆行1、藤井 章輔1、藤巻 剛1 (1.キオクシア 先端研)
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[16p-C302-13]不揮発性SRAMのパワーゲーティング・アーキテクチャと性能

加藤 豪人1、〇大木 治弥1、塩津 勇作1、山本 修一郎1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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[16p-C302-14]擬似SRAMゲインセルの性能比較

〇吉田 誠1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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[16p-C302-15]XNOR演算を有するエネルギー最小点動作・PIM型SRAMセル

〇近藤 慶音1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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[16p-C302-16]エネルギー最小点で動作するINT4推論NNアクセラレータ・マクロの設計

〇塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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[16p-C302-17]低電圧動作・リードポート付き10T-SRAMセルの設計と性能

〇矢口 忠勝1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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[16p-C302-18]高安定エネルギー最小点動作が可能なULVR-SRAMセルの設計

〇伊藤 克俊1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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