講演情報

[16p-C302-3]ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション

〇加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード:

原子層堆積法、GeSn、パッシベーション


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