[16p-C302-1~18] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

14:15 〜 14:30

[16p-C302-4] [分科内招待講演] 原子層堆積法で成膜した非晶質/多結晶In-Ga-O酸化物トランジスタにおける信頼性劣化起源に関する考察

〇髙橋 崇典¹、上沼 睦典²、小林 正治^3,4、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.産総研、3.東大生研、4.東大d.lab)

キーワード：

酸化物半導体、薄膜トランジスタ、原子層堆積法