[16p-C302-1~18] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[16p-C302-6] ALD InGaZnOx をチャネル材料とするナノシート酸化物半導体トランジスタ

〇(M2)坂井 洸太¹、日掛 凱斗¹、更屋 拓哉¹、平本 俊郎¹、小林 正治^1,2 (1.東大生産研、2.東大 d.lab)

キーワード：

酸化物半導体、原子層堆積、IGZO

三次元集積化に向けた成膜手法として、原子層堆積(ALD)法が原子層レベルでの制御性の高い成膜と、高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜の観点で期待されている。高移動度、高信頼性、ノーマリーオフ特性の実現に向けて、IGZOトランジスタが検討されてきたものの、ALDによる組成および膜厚の系統的な調査は十分に報告されていない。そこで本研究では、これまで我々が報告してきた高移動度、熱耐性を備えるALD InGaOx(IGO)トランジスタの研究をもとに、IGOにZnを添加することでIGZOを成膜し、性能と信頼性に与える影響を調査した。