[16p-C31-1~18] 6.4 薄膜新材料

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-C31-12] ミストCVD法によるCu薄膜の作製、および、その膜特性

〇(M1)岡田 達樹¹、安岡 龍哉¹、大橋 亮介¹、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工科大学、2.総研)

キーワード：

Cu、ミストCVD

金属薄膜は、配線を始めとした電子的用途だけでは無く、光学的用途、磁気的用途、熱的用途、機械的用途、化学的用途など、様々な用途で利用されている。最近では自由電子の集団行動(プラズモン)などを利用した用途の開発が進められている。我々は大気圧下で溶液を用いて、各種金属薄膜の作製を試みている。今回はこのミストCVD法を用いて、各種操作変数を操作しながらCu薄膜を作製し、Cu薄膜の特性について調査した。