講演情報
[16p-C31-15]MnドープITOエピタキシャル成長膜の物性に対するSn濃度依存性
〇北川 彩貴1,2,3、中村 敏浩2,1 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院、3.日本学術振興会(特別研究員))
キーワード：
エピタキシャル成長膜、透明導電膜、希薄磁性半導体
近年，希薄磁性半導体が注目を集めている．本研究ではMnドープITO薄膜における薄膜プロセスの最適化に向けて，物性のSn濃度依存性を調査した．高いSn濃度の薄膜ほど，大きな光学的バンドギャップとキャリア密度をもつがわかった．また，キャリア密度の増加とともに飽和磁化も増加することがわかった．この相関関係は薄膜の強磁性が遍歴電子によるキャリア誘起強磁性が関与していることを示し，強磁性の発現機構に対して重要な知見を与える．
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