[16p-C31-1~18] 6.4 薄膜新材料

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[16p-C31-8] 分子線エピタキシー法によるEu-As二元系新物質薄膜の作製

〇(M1)米田 忠司¹、西早 辰一¹、氏家 宏幸¹、中村 彩乃¹、渡辺 悠斗¹、Markus Kriener²、打田 正輝¹ (1.東工大理、2.理研CEMS)

キーワード：

分子線エピタキシー法、新物質薄膜

Eu-As二元系化合物は、Zintl相に基づく多様な結晶構造が報告されているが、近年分子線エピタキシー(MBE)法により合成されたEuAsを除いてその物性はほとんど未解明である。そこで本研究では、MBE法を用いてEu-As二元系化合物の成膜条件を探索することで、これまでに報告されていないEu-As二元系新物質薄膜の作製に成功した。得られた薄膜の結晶構造を調べることにより、新物質薄膜の面直格子定数、組成比を明らかにした。