セッション詳細

[16p-C32-1~12]16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2024年9月16日(月) 13:15 〜 16:45
C32 (ホテル日航新潟 3F)
牧野 孝太郎(産総研)、 双 逸(東北大)、 金 美賢(東北大)

[16p-C32-1]Zr基金属ガラスの低圧酸化による表面色制御

〇(M1)平井 太偲1、鷺 拓未1、遠田 義晴1、富樫 望2 (1.弘前大院理工、2.Orbray)
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[16p-C32-2]Fe–Si–B 系アモルファス合金における 局所構造及びネットワーク接続の理論研究

〇池淵 遼平1、平山 尚美1、下野 昌人2 (1.島根大NEXTA、2.物材機構)
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[16p-C32-3]AICで形成した多結晶poly-Si膜層上でのアモルファスシリコン膜のフラッシュランプアニールによる結晶化

〇(M2)李 柏同1、Huynh Thi Cam Tu1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
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[16p-C32-4]パルスプラズマ法による微細ナノ粒子の生成について

〇森永 智1、依田 眞一1、大隅 壮太2、徳田 誠2 (1.京石ナノ研、2.熊大工)
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[16p-C32-5]室温スパッタ成膜による直方晶 AgTe の形成

〇(B)土橋 裕太1、山澤 隼1、塚本 慶人1、中岡 俊裕1 (1.上智理工)
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[16p-C32-6]AgTe系薄膜における抵抗スイッチングとRF波印加による不揮発性向上

〇(B)山澤 隼1、土橋 裕太1、塚本 慶人1、中岡 俊裕1 (1.上智理工)
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[16p-C32-7]As2S3ガラス・ファイバーの光誘起ベンディング現象

〇斎藤 全1 (1.愛媛大学)
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[16p-C32-8]Phase Change Memory Applications of Low-Melting 2D Van der Waals Transition-Metal Chalcogenide NbTe4

〇Yi Shuang1, Qian Chen1,5, Mihyeon Kim2, Yinli Wang2, Yuta Saito2,3, Shogo Hatayama3, Paul Fons4, Daisuke Ando2, Momoji Kubo5, Yuji Sutou1,2 (1.Tohoku Univ. (AIMR), 2.Tohoku Univ, (Eng), 3.AIST, 4.Keio Univ., 5.Tohoku Univ. (IMR))
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[16p-C32-9]Sb-Se薄膜の光学的・電気的性質

〇澤田 航1、後藤 民浩1 (1.群馬大理工)
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[16p-C32-10]顕微干渉計による相変化パターンの段差測定

〇菅原 健太郎1、後藤 民浩2 (1.産総研、2.群馬大理工)
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[16p-C32-11]Mo-N半導体薄膜の相変化挙動

〇鳩岡 裕介1、双 逸2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1.東北大工、2.東北大工(AIMR))
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[16p-C32-12]セレクタ向けTM-Ge-Te系アモルファスカルコゲナイドの耐熱性

〇濱野 恵佑1,2、竹内 英輔1、畑山 祥吾2、齊藤 雄太3、フォンス ポール1 (1.慶應大理工、2.産総研、3.東北大工)
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