セッション詳細
[16p-C32-1~12]16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
2024年9月16日(月) 13:15 〜 16:45
C32 (ホテル日航新潟 3F)
牧野 孝太郎(産総研)、 双 逸(東北大)、 金 美賢(東北大)
[16p-C32-3]AICで形成した多結晶poly-Si膜層上でのアモルファスシリコン膜のフラッシュランプアニールによる結晶化
〇(M2)李 柏同1、Huynh Thi Cam Tu1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
[16p-C32-8]Phase Change Memory Applications of Low-Melting 2D Van der Waals Transition-Metal Chalcogenide NbTe4
〇Yi Shuang1, Qian Chen1,5, Mihyeon Kim2, Yinli Wang2, Yuta Saito2,3, Shogo Hatayama3, Paul Fons4, Daisuke Ando2, Momoji Kubo5, Yuji Sutou1,2 (1.Tohoku Univ. (AIMR), 2.Tohoku Univ, (Eng), 3.AIST, 4.Keio Univ., 5.Tohoku Univ. (IMR))
[16p-C32-12]セレクタ向けTM-Ge-Te系アモルファスカルコゲナイドの耐熱性
〇濱野 恵佑1,2、竹内 英輔1、畑山 祥吾2、齊藤 雄太3、フォンス ポール1 (1.慶應大理工、2.産総研、3.東北大工)