[16p-C32-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

14:30 〜 14:45

[16p-C32-5] 室温スパッタ成膜による直方晶 AgTe の形成

〇(B)土橋 裕太¹、山澤 隼¹、塚本 慶人¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：

カルコゲナイド

革新的な物性が予想されているが人工的に作製できていない準安定相は数多くある．直方晶AgTeは準安定相と考えられており2021年まで人工的な生成の報告はなかった．我々は2021年に微粒子からの異常拡散に基づく直方晶AgTeの作製を報告した．今回, 半導体微細加工プロセスと親和性高い室温スパッタリング成膜における直方晶AgTeの生成を報告する．成膜した薄膜は、直方晶AgTe微結晶、アモルファスAg_xTe_1-x、六方晶Ag_5−δTe₃、三方晶Teを含むことがわかった。