[16p-C32-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

14:45 〜 15:00

[16p-C32-6] AgTe系薄膜における抵抗スイッチングとRF波印加による不揮発性向上

〇(B)山澤 隼¹、土橋 裕太¹、塚本 慶人¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：

カルコゲナイド、RF波、抵抗スイッチング

近年、単斜晶Ag₂Teを中心とするAg-Te系材料が、比較的大きな磁気抵抗、高い電気伝導性、熱電変換特性というユニークな物性を持つため注目を集めている。我々はAg:Te = 1:1のターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリングにより成膜した薄膜において抵抗スイッチング現象およびRF波印加による不揮発性の向上を観測したので、これを報告する。