[16p-C32-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

15:45 〜 16:00

[16p-C32-9] Sb-Se薄膜の光学的・電気的性質

〇澤田 航¹、後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

カルコゲナイド材料、相変化メモリ、電気抵抗率

近年、コンピュータの記憶媒体の高性能化を目的に、相変化メモリの研究が進んでいる。Ge-Sb-Te系やGe-Si-As-Te系のカルコゲナイド材料が使用されているが、2元系カルコゲナイド材料に代替することで、組成制御の簡易化や製造コストの削減、製品信頼性の向上が期待される。この背景から、Sb-Se化合物に着目し、真空蒸着によるSb-Se薄膜を作製して、熱処理による光学バンドギャップ、電気抵抗率、活性化エネルギーの変化を調査し、応用可能性を検討した。