セッション詳細

[16p-P02-1~12]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2024年9月16日(月) 13:30 〜 15:30
P02 (展示ホールA)

[16p-P02-1]CxHy+Ar プラズマ CVD を用いた水素化アモルファスカーボン膜の エッチング耐性に対する材料分子の比較

〇(D)小野 晋次郎1、恵利 眞人1、奥村 賢直1、山下 尚人1、鎌滝 晋礼1、木山 治樹1、板垣 奈穂1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大シス情)
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[16p-P02-2]芳香環を含む製膜寄与種で堆積したa-C:H膜のsp2/sp3結合構造に対するイオン照射の効果

〇(M1)恵利 眞人1、小野 晋次郎1、奥村 賢直1、山下 尚人1、鎌滝 晋礼1、木山 治樹1、板垣 奈穂1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大)
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[16p-P02-3]粉体ターゲットを用いた成膜機構とターゲット表面の関係II

〇川崎 仁晴1、佐竹 卓彦1 (1.佐世保高専)
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[16p-P02-4]大電力パルスマグネトロンスパッタリングプラズマにおける放電特性のターゲット電圧依存性

〇阿部 元暉1、柿沼 慧多1、太田 貴之2、小田 昭紀1 (1.千葉工大、2.名城大)
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[16p-P02-5]プラズマスパッタリングLiLaZrO薄膜の結晶性制御

〇丹羽 亮斗1、村瀬 瑠汰1、石原 雅之1、大前 知輝1、中田 智久1、横井 玲音1、内田 儀一郎1 (1.名城大理工)
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[16p-P02-6]フッ素終端Si基板によるMoS2合成の核形成抑制

〇(M1)鬼頭 怜太郎1、荻野 明久1 (1.静大院工)
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[16p-P02-7]空気混合水素プラズマ処理によるマグネシウム系材料の水素化

〇(M1)石川 敬達1、荻野 明久1 (1.静大院工)
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[16p-P02-8]水素終端ダイヤモンド陰極のイオン衝突耐性

〇田代 承太郎1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝研究開発センター)
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[16p-P02-9]Ar/O₂直流放電プラズマ照射によるSiとGe基板の極低温酸化

〇山本 悠矢1、加藤 広大1、佐藤 哲也1、王谷 洋平2 (1.山梨大、2.諏訪東京理科大)
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[16p-P02-10]CH₃⁺イオンビーム照射したPTFE表面における銅薄膜の付着性

〇(M1C)横川 稔弘1、鷹野 一朗2 (1.工学院大院、2.工学院大工)
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[16p-P02-11]プラスチックの印刷品質向上に向けた異なる駆動周波数で生成した大気圧プラズマに関する研究

〇野沢 拓登1、知久 颯馬1、坂本 翔馬1、山田 大将1 (1.長野高専)
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[16p-P02-12]繊維織物の染色への低温大気圧プラズマの影響

〇坂本 翔馬1、野沢 拓登1、知久 颯馬1、小野 伸幸1、山田 大将1 (1.長野高専)
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