[16p-P02-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[16p-P02-2] 芳香環を含む製膜寄与種で堆積したa-C:H膜のsp²/sp³結合構造に対するイオン照射の効果

〇(M1)恵利 眞人¹、小野 晋次郎¹、奥村 賢直¹、山下 尚人¹、鎌滝 晋礼¹、木山 治樹¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大)

キーワード：

ダイヤモンドライクカーボン、プラズマ化学気相堆積法、クメン

水素化アモルファスカーボン(a-C:H)膜はエッチング用ハードマスクとして広く利用されており、プラズマ化学気相堆積(CVD)法によるa-C:H膜製膜において、膜表面への入射イオンエネルギーが膜中炭素の結合構成を決定する要因の一つである。本研究では、新規材料であるクメン(C₉H₁₂)を用いた、プラズマCVD法によるa-C:H膜の製膜において、製膜特性に対する入射イオンエネルギーの効果を、基板バイアス電圧制御により検討した。