[17a-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

9:00 〜 9:15

[17a-B2-1] 4H-SiCエピタキシャル成長層に存在する傾斜TEDの解析

〇太田 千春¹、西尾 譲司¹、櫛部 光弘¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：

SiC、貫通刃状転位、部分転位対