[17a-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

10:45 〜 11:00

[17a-B2-7] Si系分子イオン注入エピタキシャルウェーハのFeゲッタリング挙動(2)

〇廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、永友 翔¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：

シリコンウェーハ、ゲッタリング、CMOSイメージセンサ