[17a-C32-1~9] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

11:15 〜 11:30

[17a-C32-9] 薄膜転写技術による磁気光学材料集積用犠牲層材料の検討

〇中西 航輔¹、高 磊²、須藤 吉克²、村井 俊哉²、山田 浩治²、庄司 雄哉¹ (1.東工大工、2.産総研)

キーワード：

トランスファープリンティング、アイソレータ、磁気光学デバイス

従来の磁気光学デバイスの作製法では、厚いSGGGが回路上に残り、高密度集積が難しいという問題がある。そこで我々は、薄膜材料を貼り付ける薄膜転写法に注目した。しかし、現状のプロセスでは犠牲層除去時間が長くなり、クーポンの貼り付けの成功率が低い。本研究では、PE-CVD法を用いて犠牲層除去時間の短縮を検討した。エッチングレートは従来よりも24 nm/min程度速くなり、犠牲層除去時間の短縮に成功した。