[17a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:30 〜 10:45

[17a-C42-6] AlGaNナノワイヤアレイ型フォトニック結晶における高Q値化の検討

〇舘野 功太^1,2、滝口 雅人^1,2、佐々木 智¹、江端 一晃¹、若林 勇希¹、大塚 琢馬³、平間 一行¹、熊倉 一英¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT 物性研、2.NTT NPC、3.NTT CS研)

キーワード：

ナノワイヤ、フォトニック結晶、AlGaN

前回提案したTM偏光に光閉じ込めのあるAlGaNナノワイヤアレイ型フォトニック結晶共振器構造において、Q値を上げるために半径や格子間隔等の最適化を行ったシミュレーション結果について報告する。2Dの計算により一部SiO₂で埋め込んだ構造について10万以上の高いQ値が得られた。